三菱电机大力支持中国电动汽车（EV）行业发展，推出L1系列智能功率模块和第6代IGBT模块功率器件用于电动汽车领域，并将携同该产品在6月2日至4日于上海光大会展中心举行的PCIM中国展（展位号W2-P209）中亮相，向参观者推介越来越受市场关注的电动汽车技术。
三菱电机早在10年前已向日本电动汽车行业提供功率半导体。现在，三菱电机的智能功率模块(IPM)具有体积小、开关速度快、功耗低、抗干扰能力强、无须防静电措施等优点，大大缩短了客户项目开发周期。
三菱电机机电（上海）有限公司半导体事业部长谷口丰聪先生说：“传统的燃油不单造成空气污染，令中国的能源供应矛质更为突出，发展电动汽车等新能源汽车已成大势所赹，三菱电机凭着累积多年的经验，能为汽车产业提供较优化的功率模块，推动市场发展。”
IPM不同于IGBT模块，IPM有控制电路，不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起，而且还内藏有欠电压、短路和过温等故障检测电路，并可将故障检测信号输出到控制单元。由于有控制电路的限制，开发大电流、高电压的IPM模块比较困难。但是由于有了控制电路，客户应用设计比较方便，而且产品的稳定性也有所提升。
三菱电机的第5代L1系列智能功率模块，将硅片温度传感器设置在IGBT硅片正中央处，实现了更加精确迅速的硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型CSTBTTM硅片技术，具有比L系列IPM更低的损耗以及更加优化的VCE(sat)与Eoff折衷曲线。
L1系列智能功率模块主端子有针脚型和螺丝型两种形式，同样电流电压等级的L1系列IPM与L系列IPM的封装完全兼容。此外，L1系列IPM还首次开发了25A/1200V和50A/600V的小封装产品以满足客户节约成本的需求。
三菱电机较新开发的第6代IGBT模块，采用优化载流子存储层的掺杂分布和精细图形工艺的沟槽型IGBT硅片，进一步降低模块的开关和通态损耗。第6代IGBT模块内的续流二极管硅片，由于采用薄晶片工艺和扩散技术，这种硅片优化了缓冲层杂质分布和本征层、缓冲层厚度，减小了反向恢复的拖尾电流，并且获得更好的VF和Qrr的折衷关系。
实验证明新型硅片具有足够宽SCSOA和至少10μs的短路承受时间。第6代IGBT模块的NX系列模块采用第6代硅片，运行结温较高可达175°C。该IGBT模块产品丰富，有1200V和1700V两个电压等级，额定电流从35A到1000A，分别有CIB (Converter Inverter Brake)、七单元、二单元和一单元模块。全系列产品采用同一封装平台从而降低了模块的制造成本，使得NX系列IGBT模块的性价比具有不同寻常的竞争力。
