三菱电机将携同一系列新型的HVIGBT模块，于6月2日至4日于上海光大会展中心举行的PCIM中国展（展位号W2-P209）中亮相，为不同领域的客户提供与其相应的应用解决方案。
HVIGBT模块已经在大功率领域得到广泛应用，比如：轨道牵引和大功率工业驱动。这些大功率应用需要具有优良性能的HVIGBT模块，尤其要求损耗低、额定电流大以及运行结温范围大的特性。同时，要求模块具有良好的开关控制特性以降低电磁干扰（EMI）。基于这些要求，三菱电机开发了一系列新型的HVIGBT模块以满足不同应用的需要。
三菱电机机电（上海）有限公司半导体事业部长谷口丰聪先生说：“三菱电机在研制HVIGBT模块已累积了多年经验，这次展示的产品均能满足客户在高性能、高可靠性、及低损耗方面的要求。”
1700V N系列HVIGBT模块采用载流子存储式沟槽型双极晶体管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，获得更好的饱和压降（VCE(sat)）与关断损耗（Eoff）的折衷关系，有效降低了模块的功率损耗。二极管硅片的软反向恢复特性很好地抑制了二极管的振荡。基板材料采用AlSiC，模块的可靠性得到大大提高。
3300V R系列HVIGBT模块采用FP-LPT-HVIGBT硅片和软恢复高压二极管硅片的组合，在不牺牲模块的短路鲁棒性前提下，该新型模块的饱和压降与关断损耗折衷特性得到了25%的改善。新型二极管的使用减小了反向恢复电流从而降低了导通损耗，且软反向恢复特性维持了现有二极管设计的短路鲁棒性，并具有良好的EMI性能。新的硅片技术大大降低了模块的功率损耗，提高了模块的额定电流，较大额定电流可高达1500A。实验证明，通过调节导通和关断栅极电阻值可以在比较大范围内控制模块的开关特性。模块的较大运行结温可达150°C，且较低存储温度可低至零下55°C。
6500V HVIGBT模块，其绝缘耐压高达10.2k V（1分钟交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模块的可靠性得到大大提高。一共有3种封装形式，小型，中型和大型。6500V HVIGBT模块的IGBT硅片具有漏电流小、功率损耗低、安全工作区（SOA）大的特性，其二极管硅片具有软反向恢复特性、功率损耗低和安全工作区（SOA）大的特性。从而模块的总的功率损耗低，可靠性高。
