较新TQPHT09
90 nm pHEMT完全适用于下一代高频放大器
中国北京，2015年4月27日 –移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo,
Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布推出一项全新的砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺技术，与竞争对手的半导体工艺相比，该技术能够提供更高的增益/带宽和更低的功耗。Qorvo新近推出的TQPHT09是一种90
nm pHEMT工艺，能够支持Qorvo的下一代光产品组合。这种新工艺具备Qorvo业界领先的可靠性，非常适合
TQPHT09在Qorvo位于德克萨斯州里查德逊的业界领先GaAs工厂制造，也是该公司久负盛誉的pHEMT工艺产品组合中的较新产品。Qorvo的TQPHT09为多种新型光调制器驱动器产品奠定了基础，包括该公司较先进的四通道
Qorvo基础设施和国防产品部总裁James Klein表示：“Qorvo持续投资开发业界较具竞争力的半导体工艺技术，打造适用于下一代产品的同类较佳元器件。Qorvo的新型90
nm pHEMT工艺展示了我们在提供面向高速市场应用的元器件方面处于领先地位，能够提供客户期望的质量、可靠性和可靠供货源。”
若要了解有关TQPHT90工艺优势、TGA4960-SL和其他高性能驱动器模块以及面向
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Qorvo简介
Qorvo (Nasdaq: QRVO)是面向移动、基础设施和航天航空/国防应用提供核心技术与射频解决方案的领先供应商。由RFMD与TriQuint合并组建而成，Qorvo在全球拥有6000多名员工，致力于为实现全球互联的各种应用提供解决方案。Qorvo拥有业内较广泛的产品组合和核心技术；还有通过ISO9001、ISO 14001和ISO/TS 16949认证的世界级生产厂；也是面向砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)、体声波(BAW)产品与服务并经过美国国防部(DoD)认可的“可信任供应商”(1A级)。如欲了解该行业领先的核心射频解决方案，敬请访问: www.qorvo.com。
